SRAM
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静态随机存取存储器（StaticRandom-AccessMemory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。相对之下，动态随机存取存储器（DRAM）里面所储存的数据就需要周期性地更新。然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatilememory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
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基于Nios的掌纹鉴别系统设计与实现
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Cypress QDR II+和DDRII+ SRAM系列
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Avago和Osram签署专利交互授权协议
加速白色LED和LED系统技术的应用普及 AvagoTechnologies（安华高科技）和欧司朗光电半导体有限公司(OsramOptoSemiconductorsGmbH)宣布，双方已经签署一份有限的专利交互授权协议。根据该协议，欧司朗将授予AvagoTech
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日本三电子巨头携手，共同发布修订版SRAM规范
日本东芝、NEC电子和富士通等三家公司日前共同提出Pseudo SRAM第四版标准接口规范，也称为CSOMORAM(用于移动RAM的通用规范)Rev. 4。 这三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆叠多芯片封装(MCP)通用接口规范共享
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IDT70V9289型高速同步双口SRAM的原理及应用
IDT70V9289是IDT公司新推出的一款高速同步双口静态存储器（SRAM），可实现不同传输方式的双路高速数据流的无损传输。
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TI开始尝试最低电压的65纳米SRAM
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德国泽恩帝(ZMD)公司看好中国市场
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一种新型非易失性存储器的原理及应用
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新一代45纳米制程量产技术在京都正式发布
Crolles2联盟日前在京都举办的VLSI会议(VLSISymposium)中发布的文件中，描述了针对新一代低成本、低功耗、高密度消费性电路的超小型制程选项－使用传统大量CMOS制程技术与45纳米设计规则，在量产条件下建构面积小于0
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Crolles2联盟开发的超高密度SRAM单元采用45纳米低成本低功率普通CMOS体效应技术
Crolles2联盟在京都VLSI研讨会上宣布的论文，为未来的低成本、低功耗、高密度消费电路采用超小制程尺寸又添新选择日本京都 (2005年 VLSI 研讨会) ， 2005年6月15日 - Crolles2联盟今天宣读一篇有关在正常制造条件下采
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Ramtron可替代SRAM的1兆位铁电存储器
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Atmel推出首个8-bit高速MCU
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内嵌51MCU的射频收发芯片CC1010及其应用
简要介绍内嵌8051MCU的射频收发芯片CC1010的特性和各引脚功能；分析芯片的功能结构，芯片内嵌51MCU的性能和片内收发器的工作原理；给出参考应用电路；说明在PCB布线时应当注意的一些问题。
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从Flash和SRAM中触发中断的过程示例
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Renesas研制电压为0.8 V的嵌入式SRAM技术
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