SRAM
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FPGA在激光测速靶中的应用
0 引言 弹丸飞行速度的测量是武器系统各种运动参数中一项至关重要的内容，它是衡量火炮特性、弹药特性和弹道特性的一个重要指标。在众多的弹丸速度测量系统中，激光光幕区截测速靶以其精度高而独具优势。但采用
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基于CPLD的VGA视频显示系统的设计
引言 显示系统在工业、农业及日常生活中扮演着越来越重要的角色，因此，对其进行设计与研究具有十分重要的意义。 CPLD(Complex Programmable Logic Device；复杂可编程逻辑器件)具有编程灵活、集成度高、
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基于CPLD的VGA视频显示系统的设计
引言 显示系统在工业、农业及日常生活中扮演着越来越重要的角色，因此，对其进行设计与研究具有十分重要的意义。 CPLD(Complex Programmable Logic Device；复杂可编程逻辑器件)具有编程灵活、集成度高、
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具有64位数据检纠错功能的FPGA模块设计
摘要：星载计算机系统中电子器件容易受到空间环境电磁场的辐射和重粒子的冲击，从而导致器件运行出错，特别是存储器中数据容易出现错误，需要具有检纠错功能的电路模块对其进行纠正，以免造成严重的后果。基于汉明码
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具有64位数据检纠错功能的FPGA模块设计
摘要：星载计算机系统中电子器件容易受到空间环境电磁场的辐射和重粒子的冲击，从而导致器件运行出错，特别是存储器中数据容易出现错误，需要具有检纠错功能的电路模块对其进行纠正，以免造成严重的后果。基于汉明码
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台积电承认40纳米工艺遭遇障碍
在公布最新季度财报的同时，台积电也第一次公开承认，其40nm制造工艺碰到了一些麻烦。 台积电在去年底基本准时地上马了40nm生产线，并在今年第一季度贡献了大约1%的收入，高于预期水准，预计今年第二季度会达到2%左
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采用65纳米工艺的SRAM（赛普拉斯）
赛普拉斯日前宣布在业界率先推出采用 65 纳米线宽的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件样品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存储器采用了赛普拉斯合作伙伴
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业界最完整的异步SRAM系列（赛普拉斯）
日前，赛普拉斯半导体公司宣布推出了一款低功耗 SRAM 和两款快速异步 SRAM，进一步丰富了其业界领先的产品系列。新型的 64 兆比特 (Mbit) MoBL® (More Battery Life™) SRAM 是市场上密度最大的低功耗 SRA
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经I/O优化的FPGA
随着电池供电和功率敏感应用的急剧增长刺激了全球对低功耗半导体的需求，设计人员正逐渐发现需要采用低功耗可重编程解决方案来适应不断演进的标准和技术；加快上市速度，并提供下一代前沿硅解决方案所需的封装和功耗性能。对于当前采用可编程逻辑技术的设计人员来说，确定哪一种是最佳器件主要取决于功耗、性能、逻辑和I/O数量等设计约束。
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基于SRAM的FPGA连线资源的一种可测性设计
本文提出在FPGA芯片内插入多条移位寄存器链的方法，可使测试开关盒连线资源的时问比传统的测试方法和已有的一种方法时间上减少了99％以上，大大降低了测试的时间，降低了测试成本，并且消耗的硬件面积比大约在5％左右，在可接受的范围内。
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新一代回音IC（HOLTEK）
HOLTEK半导体累积多年来的回音IC市场技术经验，推出新一代回音IC : HT8972。 HT8972内建40KB SRAM (前一代 回音IC HT8970内建20KB SRAM)，让回音效果更细腻，信噪比更高。HT8972内含4个运算放大器，并内建AD/DC 转换
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东芝、IBM和AMD联合开发世界上最小的FinFET SRAM单元
据Businesswire网站报道，东芝、IBM和AMD日前宣布，三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器（SRAM）单元，其面积仅为0.128平方微米，是世界上最小的实用SRAM单元。 该存储单元采用高电介质金属栅极（high-
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联华试制采用high-k金属栅极的45nm工艺SRAM
台湾联华电子（United Microelectronics，UMC）采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术，试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此，实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了2
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德国实验室提高白色OLED能源利用率
BASF和OSRAM两大公司近来宣布了一则好消息，来自德国实验室的研究成果将OLED的发光效率提高到了60流明/瓦。 BASF和OSRAM研制的高效白色OLED材料不但能将发光效率提升至60流明/瓦，符合能源之星通用照明产品标准，
