SRAM
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世界五大LED制造商技术优势及介绍
科锐（CREE） 技术优势 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片级封装技术； 2.大功率芯片和封装技术。 旗舰产品 XLamp 2008-2009年企业状况 2008年，Cree公司实现了年收入25%的增长，达到4.93亿美元，其中LED产品销
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FM14C88 F-RAM并口储存器（Ramtron）
Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88，适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。与nvSRAM相比，FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工
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Actel：快闪PFGA的引领者
随着创新能力在全球范围内不断扩展，市场呈现出“消费化”趋势：新产品的设计周期、市场寿命缩短，而对于产品的节能、效率、设计灵活性以及可靠性要求却日益增加，相对于ASIC、ASSP，FPGA的上市时间、开发成本、灵活
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台积电28纳米SRAM良率突破
台积电24日宣布率业界之先，不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率，而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的
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LED灯能源效率与省电灯泡相去不远
虽然大家都知道，LED灯仅会耗费小部分的能量，就能产生与白炽灯泡同样的光量，不过这只是我们所知的其中一小部分。有研究报告指出，其实LED灯与一般节能灯泡的能源效率相去不远，而且LED灯整体生产过程可能相当耗能。
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一种基于FPGA／DSP的灵巧干扰平台设计与实现
引 言 目前，通信干扰的手段以信号大功率压制为主，本质上属于物理层能量干扰，存在效费比低，且容易暴露自身目标等缺点，而且随着新的功率控制和信号处理技术的应用，通信大功率压制干扰手段的应用遇到了瓶颈。
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世界上首个22纳米节点静态存储单元研制成功
美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点静态存储单元（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。
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一种基于FPGA／DSP的灵巧干扰平台设计与实现
引 言 目前，通信干扰的手段以信号大功率压制为主，本质上属于物理层能量干扰，存在效费比低，且容易暴露自身目标等缺点，而且随着新的功率控制和信号处理技术的应用，通信大功率压制干扰手段的应用遇到了瓶颈。
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高速SRAM产品系列（瑞萨）
瑞萨科技公司（以下简称“瑞萨”）在2009年7月7日宣布推出面向新一代通信网络内高端路由器和交换机使用的高速SRAM产品系列。这些SRAM产品不仅符合QDR联盟行业标准要求，还实现了72Mb四倍数据速率II+（QDRTM II+）和双
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基于ADSP-BF537的无线视频传输方案
0 引 言 无线通信技术和视频压缩技术的迅速发展，使得无线视频传输成为人们研究的热点。无线视频传输具有数据量大，实时性要求高，无线信道资源有限的特点。新一代的视频压缩标准H．264结合专用视频DSF芯片可
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基于ADSP-BF537的无线视频传输方案
0 引 言 无线通信技术和视频压缩技术的迅速发展，使得无线视频传输成为人们研究的热点。无线视频传输具有数据量大，实时性要求高，无线信道资源有限的特点。新一代的视频压缩标准H．264结合专用视频DSF芯片可
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台积电成功开发28纳米低耗电制程，明年量产
台积电(TSMC)宣布成功开发28纳米低耗电技术，同时配合双/三闸极氧化层(dual/triple gate oxide)制程，将32纳米制程所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON)/多晶硅(poly Si)材料延伸至28纳米制程，使得半导体可以
