Cyclone II实现DDR SDRAM接口的方法
Altera PCI Express到DDR2 SDRAM 参考设计
GE智能平台的DDR-1500高性能测试测量采集分析系统就是利用高精度的AD及DA卡和功能强大的在线配制、分析、存贮、回放软件来实现高性能测试测量。在测试测量过程中及时进行数据采集或波形输出。在持续在线动态监测情况
采用先进半导体工艺,结构化ASIC平台可以提供更多经预定义、预验证和预扩散的金属层,并支持各种存储器接口,能简化接口设计和时序问题。本文详细介绍了结构化ASIC平台的这些特点和性能。 最新的ASIC设计架构能够大大
在以往汽车音响的系统设计当中, 一块PCB上的最高时钟频率在30~50MHz已经算是很高了,而现在多数PCB的时钟频率超过100MHz,有的甚至达到了GHz数量级。为此,传统的以网表驱动的串行式设计方法已经不能满足今天的设计要
基于i.MX51的应用处理器开发评估方案设计
12月7日,中国联通与宝马公司在上海举行新闻发布会,宣布将在中国合作推广BMW互联驾驶(BMW ConnectedDrive)服务。根据协议,中国联通将提供基于2G GSM、3G WCDMA网络的移动通信、系统集成、呼叫中心、内容提供等综
来自SemiAccurate网站的消息称,三星已经研发并制造出容量达到8Gb的相变内存颗粒,采用移动设备中常用的LPDDR2界面,此前制造的1Gb相变内存颗粒样品容量一般只有1Gb,是它的1/8。 新的内存颗粒最大的亮点是采用
力晶在2012年起将会大幅降低标准型DRAM投片量,以最低的产能维持DRAM的技术发展,并于明年起全数转入30nm4Gb生产,而空出的产能将会以NANDFLASH填补,后续技术发展的重点也转移到NAND2Xnm的制程微缩。放远未来,力晶
茂德26日临时股东会通过3大重要议案,包括减资、债转股的增资和策略伙伴的私募案后,新的财务平台正式诞生,但以长远经营来看,茂德即使过了财务重担这一关,那长远经营的核心业务在何方?董事长陈民良表示,利基型内
日本东芝公司正大推出了新系列24nmeMMC闪存芯片。新的NAND闪存芯片主要面向的是嵌入式应用,由于使用了双数据接口,因此将可以带来更加出色的随机存取和连续数据存取性能。由于使用的是全新的24nm工艺,因此新芯片体
Alcor Micro 安国国际提供机上盒 STB 设备 USB Device方案:针对目前市售之机上盒STB设备使用的USB功能有:1、使用随身碟或记忆卡做影音档案的储存或拨放,2、机上盒设备之韧体更新,安国提供自家的解决方案 (USB HU
摘要:为了满足高速图像处理系统中需要高接口带宽和大容量存储的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的设计方法,提出一种基于VHDL语言的DDR2-SDRAM控制器的方案,针对高速图像处理系统中的具体情况,在Xilinx的ML506开发
张琳一 半导体测试公司惠瑞捷(Verigy)日前宣布其V93000高速记忆体(HSM)平台已赢得庞大且领先市场的南韩客户之新款GDDR5量产测试业务。 惠瑞捷V93000 HSM6800是一款为当今运行速度超过每接脚4 Gbps GDDR5超快图像
力成科技积极自内存封测业务往先进封装技术布局,继先前买下茂德厂房以作为实验工厂后,转投资公司聚成科技的新竹厂也在3月动土,预计2012年第3季装机试产。力成董事长蔡笃恭表示,实验工厂以开发新技术为主,包括晶
台积电昨(26)日宣布,已顺利在开放创新平台,建构完成28纳米设计生态环境,同时客户采用台积开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案(tape out)数量已达到89个。 台积电也将在美国加州圣地牙哥举行的年度设
台积电(2330)今日宣布已顺利在开放创新平台上,建构完成28纳米设计生态环境,同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米完成新产品设计(tape out)数量已达到89个。 台积电表示,将于美国加州圣地牙哥举行
基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计
基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计
在数据处理中为了更好地对被测对象进行处理和分析,研究人员们把重点更多的放在高速、高精度、高存储深度的数据采集系统的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出现,已经可以实现高速高精度的数据处理,则