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DDR 测试系列之二—— WaveScan 技术分离 DDR2 的读写周期

测量DDR2存储设备需要把读/写的访问周期分离开来。在DDR2中通过Strobe和Data总线之间的关系可以区分出来读和写的操作。如图1所示，在读操作时Data和Strobe的跳变是同步的，而在写操作时Strobe的跳变则领

测试测量
2018-06-04

ddr ddr2 wavescan 技术分离读写周期
基于FPGA的DDR内存条的控制研究

摘要：随着数据存储量的日益加大以及存储速度的加快，大容量的高速存储变得越来越重要。内存条既能满足大容量的存储又能满足读写速度快的要求，这样使得对内存条控制的应用越来越广泛。首先介绍了内存条的工作原理，

电子设计自动化
2018-05-31

FPGA 内存条 ddr
从过去到未来，内存条的进化史

内存条是CPU可通过总线寻址，并进行读写操作的电脑部件。内存条在个人电脑历史上曾经是主内存的扩展。随着电脑软、硬件技术不断更新的要求，内存条已经成为读写内存的整体。内存条是电脑必不可少的组成部分，CPU可通过数据总线对内存寻址。历史上的电脑主板上有主内存，内存条是主内存的扩展。以后的电脑主板上没有主内存，CPU完全依赖内存条。所有外存上的内容必须通过内存才能发生作用。

嵌入式动态
2017-02-21

CPU 技术前沿内存条 ddr
Zynq系列器件通过JTAG口访问DDR

在开发过程中硬件调试不免会遇到一种情况，就是可能SD卡、USB和网口都没有调通，但是需要一些少量数据对特定功能进行验证，这时通过JTAG接口Restore数据到DDR或从DDR Dump数据到PC机不失为一种有效选择。

通信技术
2017-02-09

zynq jtag ddr
TI推出业内首个完全集成的DDR存储器电源解决方案

德州仪器(TI)近日宣布推出业内首个完全集成的电源管理解决方案，该方案也是首个在汽车和工业应用中用于双倍数据速率 (DDR) 2、DDR3和DDR3L存储器子系统。TPS54116-Q1直流/直流降压转换器是一款输入电压为2.95-V至6-

模拟
2016-10-13

ddr
TI推出业内首个完全集成的DDR存储器电源解决方案

TI的4-A同步直流/直流降压转换器可简化汽车和工业应用设计并缩小系统尺寸德州仪器(TI)近日宣布推出业内首个完全集成的电源管理解决方案，该方案也是首个在汽车和工业应用中

电源
2016-10-13

存储器电源电源新品 ddr
TI推出首款适用空间受限应用的DDR内存终止线性稳压器

德州仪器 (TI) 近日推出业内首款适合空间应用的双数据速率 (DDR)内存线性稳压器。TPS7H3301-SP是唯一一款不受每平方厘米高达65兆电子伏(MeV-cm2)单粒子效应影响的DDR稳压器

功率器件
2016-07-21

电源新品内存线性稳压器 ddr
Linear 推出用于 DDR 和 QDR4 SRAM 的稳压器 LTM4632

凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出三路输出µModule (电源模块) 稳压器 LTM4632，用于为新型 QDR4 和较老式的 DDR SRAM 之所有三个电压轨供电：VD

线性电源
2016-04-15

稳压器 sram Linear 电源新品 qdr4 ltm4632 ddr
高速数字电路设计：互连时序模型与布线长度分析

高速电路设计领域，关于布线有一种几乎是公理的认识，即“等长”走线，认为走线只要等长就一定满足时序需求，就不会存在时序问题。本文对常用高速器件的互连时序建立模型，并给出一般性的时序分析公式。为

电子设计自动化
2015-05-27

PCB sdram phy芯片 ddr
e2v宣布计划延长Micron部分SDR和DDR存储产品的寿命

射频功率、成像和高可靠性半导体解决方案领域的领军企业 e2v aerospace and defense, Inc. (e2v a&d) 近日宣布，将延长世界领先高级存储解决方案供应商之一 Micron Techno

嵌入式硬件
2015-01-25

micron e2v 存储技术 ddr
详述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念

DRAM (动态随机访问存储器)对设计人员特别具有吸引力，因为它提供了广泛的性能，用于各种计算机和嵌入式系统的存储系统设计中。本文概括阐述了DRAM 的概念，及介绍了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD

单片机
2014-12-21

内存条 SDRAM DDR DDR3
程序的思考(从单片机到PC)

关于程序的执行，以前想的不多，没有意识到一个程序在运行时，从哪里读指令，数据又写在哪里。从单片机上知道，在上电的那一刻，MCU的程序指针PC会被初始化为上电复位时的地址，从哪个地址处读取将要执行的指令，由此

单片机
2014-11-05

Flash 单片机 PC DDR
汽车音响导航系统中DDR高速信号的PCB设计

在以往汽车音响的系统设计当中，一块PCB上的最高时钟频率在30~50MHz已经算是很高了，而现在多数PCB的时钟频率超过100MHz,有的甚至达到了GHz数量级。为此，传统的以网表驱

嵌入式硬件
2014-09-01

导航系统汽车音响 PCB设计 DDR
DDR内存供电电路

DDR内存供电电路

电源电路
2014-06-18

开关内存供电电路 DDR
封测：京元电羽翼已丰，渐成硅品对手

【导读】封测：京元电羽翼已丰，渐成硅品对手自半导体市场景气于2001年跌落谷底而后翻扬后，封测产业大者恒大趋势更为明显，硅品为了与日月光、艾克尔、新科金朋（STATS-ChipPAC）等进行集团式对抗，董事长

半导体
2014-06-09

DRAM 内存 DDR BSP
供给吃紧需求增温 DRAM产业当红

【导读】供给吃紧需求增温 DRAM产业当红受惠于国际大厂如三星、海力士等将产能移转至NAND FLASH，DRAM产业今年供给吃紧，报价维持高档，不像过去明显受到PC淡季效应影响，加上第 4季PC传统旺季来临，需求明

半导体
2014-06-09

DRAM Flash DDR BSP
DRAM供应出现短缺，内存价格即将“水涨船高”？

【导读】DRAM供应出现短缺，内存价格即将“水涨船高”？市场调研公司DRAMeXchange表示，目前由于DRAM市场向90纳米工艺过渡，可能对供应构成压力，而且这种情况可能持续到11月份。虽然上周现货市场的DRAM

半导体
2014-06-09

DRAM 内存 DDR BSP
70奈米技术 DRAM厂生存关键

【导读】70奈米技术 DRAM厂生存关键　　为强化竞争力，全球DRAM厂持续积极朝先进制程技术发展。有鉴于DDR2世代来临，今年DRAM厂商竞争淘汰赛，将以90纳米技术为基础关卡，70纳米为领先关键；今年，包括力晶、茂德

半导体
2014-06-09

DRAM 制程技术 DDR BSP
三星8000万颗瑕疵DRAM被退回可能流向市场

【导读】三星8000万颗瑕疵DRAM被退回可能流向市场据中国台湾媒体报道，继Hynix 66纳米DRAM制造工艺出现问题后，三星的68纳米DRAM日前也曝出问题，导致8000万颗1GB DDR2被客户退回。今年4月，

半导体
2014-06-09

DRAM 三星 DDR BSP
BMW下一代ConnectedDrive车载系统：实现4G高速连接

【导读】BMW已经透露了下一代的内置ConnectedDrive导航系统，在增强原有的功能之外还为这个平台增加了更多的功能，首先采用了全新的iDrive Touch 方向把，和支持多点触控可浏览网页和地图导航的多功能面板，而且能够

半导体
2014-06-06

车载系统 4G DDR CONNECTED

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DDR

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