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泰克高压差分探头家族迎来新成员：THDP0400助力高压高速功率测试
近期，泰克正式推出THDP系列全新成员——THDP0400高压差分探头。该产品适用于IGBT、SiC（碳化硅）以及 GaN（氮化镓）功率器件测试，同时也适用于电机驱动与电源变换器等应用场景。
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英飞凌推出高性能TMR技术，扩展XENSIV™磁传感器产品组合
【2026年6月12日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在其成熟的XENSIV™磁传感器产品组合基础上，推出了隧道磁阻(TMR)传感器产品系列。该系统作为对公司既有霍尔(Hall)、巨磁阻(GMR)和各向异性磁阻(AMR)传感方案的补充，进一步拓展了磁传感领域独特能力。其具备出色的灵敏度和高信噪比(SNR)，搭配小体积磁体也可准确获取参数、实现可靠传感，且不受带宽限制;即使在更大气隙、更高机械公差的条件下，依然能保持稳定性能。因此TMR传感器非常适合游戏、人机交互(HMI)、健康及生活方式类可穿戴设备的低功耗位置传感，同时也适用于汽车及工业应用的位置与电流传感。
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英飞凌推出CoolSET™ SiP系列新品，扩展输出功率范围，助力满足欧盟能效法规
【2026 年 6 月 11 日，德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出三款CoolSET™ 系统级封装(SiP)新型号：ICE188LM、ICE189LM 和 ICE180LM，进一步扩展其支持的输出功率范围，助力白色家电制造商满足日益严苛的欧盟能效及待机功耗法规要求。CoolSET™ SiP将高压MOSFET、一次侧PWM控制器、二次侧同步整流(SR)控制器、增强型电气隔离以及全面保护功能集成在单一封装中。这种高度集成化设计可减少系统损耗、降低元器件用量，并简化家电(功率最高150W)节能辅助电源的设计。
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英飞凌推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET，适用于电机驱动与电池保护应用
【2026年6月11日, 德国慕尼黑讯】绿色出行、机器人、人工智能等大趋势，对功率系统的负载电流可靠处理能力提出了愈发严苛的要求。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出OptiMOS™ 8 100V功率MOSFET技术，针对电机控制和电池保护等以RDS(on)为核心指标的应用进行了专属优化。
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意法半导体推出内置AI的高性能振动传感器，为高速增长的工业状态监测市场带来极具竞争力的压电传感器替代方案
2026年6月11日，中国——服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) (纽约证券交易所代码:STM) 推出一款智能振动传感器，以满足工业状态监测市场的高准确度、高可靠性和低功耗需求。
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安森美发布GaNEXUS™氮化镓功率产品组合
现已提供样品，为AI数据中心、机器人及能源基础设施应用带来更高功率密度与能效
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达尼森推出紧凑型高精度MBC4000I磁通门交流/直流电流传感器
提供比传统霍尔效应传感器解决方案高10倍的电流测量性能水平
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MIKROE推出适配苹果Vision Pro 的 Spatial Anchor S1和R1 空间追踪模块
紧凑型追踪设备，可搭配苹果Vision Pro 实现高精度、实时物体追踪
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Vox Power Ltd. – 全新发布支持数字控制的输出模块，适用于NEVO+可配置AC-DC电源系列。
爱尔兰，都柏林 — 2026年5月21日 — Vox Power正在扩展其NEVO+系列输出模块家族，新增兼容PMBus™ 1.2接口的数字控制功能，并支持通过I²C无缝集成到嵌入式系统中。
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英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。
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英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
【2026年6月9日, 德国慕尼黑讯】无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2以及IGBT4 和1200 V IGBT7 等技术。
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英飞凌推出两款高效服务器电源解决方案，将AI数据中心电源模块(PSU)功率提升至30 kW
【2026年6月9日，德国慕尼黑讯】人工智能工作负载正在重新定义现代数据中心的电力需求。GPU功率水平的飙升以及更密集的机架配置，正将服务器电力基础设施推向极限。为了应对这些挑战，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出了两款面向服务器ODM和OEM厂商的系统级解决方案：一款是针对50 V机架架构进行优化的18 kW三相电源模块(PSU)参考设计;另一款是专为800 VDC或±400 VDC电源侧柜(power sidecar)的机架架构设计的30 kW三相交错式T型PFC评估板。这两款解决方案均属于英飞凌广泛的AI服务器供电产品组合，旨在帮助客户缩短产品上市时间，同时实现更高的机架功率、更佳的效率和更优异的散热性能。
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英飞凌扩展CoolSiC™ JFET产品组合，推出面向AI数据中心和工业级应用的常关型器件
【2026年6月8日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)正持续扩展其 CoolSiC™ JFET 产品组合，以满足AI 数据中心不断增长的需求，并积极响应电源保护技术向固态化发展的趋势。在此基础上，英飞凌为CoolSiC™ JFET 产品组合增添新的器件、封装选项和配置，旨在为高性能的供配电系统和用电保护系统提供支持。公司于去年推出的首批采用 Q-DPAK 封装的 750 V 和 1200 V CoolSiC™ JFET 器件现已进入量产阶段。
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英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计
【2026年6月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
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重磅落地！英特尔连发至强6+、E835网卡、Crescent Island三大新品，剑指智能体AI
近日，英特尔正式发布了基于Intel 18A先进制程的至强6+处理器、新一代E835系列以太网控制器与网卡，并同步对外披露了代号为Crescent Island的数据中心GPU完整技术参数与产品路线——整套软硬件产品矩阵精准锚定了当下爆发的Agentic AI（智能体AI）产业变革，直面数据中心三大核心痛点：性能密度不足、TCO居高不下、关键业务可靠性缺失。这标志着在智能体驱动的新算力周期中，x86架构CPU正式从AI算力的辅助角色回归基础设施控制平面核心。
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