MOSFET
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BJT vs MOSFET，小信号放大应用中的器件选择依据
模拟电路设计，小信号放大是核心功能之一，广泛应用于传感器接口、音频前端、射频接收等场景。双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)作为两种主流放大器件，其性能差异直接影响电路设计选择。本文从工作原理、核心参数、应用场景三个维度展开对比，结合实际电路设计案例，揭示小信号放大场景下的器件选型逻辑。
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Vishay推出车规级光伏MOSFET驱动器，提升高压系统可靠性并降低成本
器件开路电压为20 V、短路电流20 μA、导通时间80 μs，采用SMD-4封装，模塑材料CTI达600，爬电距离8 mm
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麦米电气采用英飞凌CoolMOS™ 8 MOSFET驱动其新一代AI服务器
【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称：麦米电气)宣布，将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)最新推出的CoolMOS™ 8超结MOSFET技术。为满足日益增长的AI服务器需求，麦米电气依托英飞凌CoolMOS™ 8半导体器件，实现了高效率与白金级性能。基于该技术，麦米电气面向AI服务器及开放计算生态系统开发出一套紧凑、可扩展的系统。该设计包含通过公共总线分配电力的可扩展中央电源架，每个机架可根据总功率需求配置多个电源架。
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Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率
这些器件可作为中高频应用中竞品的“即插即用”型替代方案
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IGBT的基本结构与工作原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了MOSFET的电压驱动特性与双极型晶体管的低导通压降优势，在变频调速、新能源发电、轨道交通等领域得到广泛应用。其开关过程的动态特性直接决定了系统的效率、可靠性与电磁兼容性，深入理解这一过程是优化电路设计的关键。
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一文搞懂三极管和MOSFET选型规范
在电子电路设计中，三极管和MOSFET是最常用的半导体器件，广泛应用于放大、开关、稳压等电路。三极管是电流控制型器件，MOSFET是电压控制型器件，两者在特性和应用场景上存在较大差异。如何根据电路需求选择合适的三极管或MOSFET，直接影响电路的性能、效率和可靠性。
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最好的解析！开关电源MOS的8大损耗
开关电源的效率直接关系到能源利用率、散热设计和产品可靠性，而MOS管作为开关电源的核心器件，其损耗占电源总损耗的40%-60%。深入理解MOS管的损耗机理，并针对性地进行优化，是提高开关电源效率的关键。MOS管的损耗主要由导通损耗、开关损耗、驱动损耗等八大类构成，每类损耗都有其独特的产生机理和优化方向。
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东芝开始提供面向大电流车载直流有刷电机桥式电路的栅极驱动IC
中国上海，2026年1月29日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布，开始提供适用于大电流车载直流有刷电机桥式电路的栅极驱动IC[1]——“TB9104FTG”。该器件适用于电动尾门、电动滑门和电动座椅等车身系统应用。
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汇总MOSFET技术疑难
在电力电子领域，MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以其高速开关特性、低驱动功耗和易于集成的优势，成为现代电子设备的核心元件。从智能手机的电源管理到电动汽车的逆变器，从数据中心服务器到航空航天控制系统，MOSFET的身影无处不在。然而，随着应用场景的不断扩展，其技术瓶颈逐渐显现：高频化带来的开关损耗激增、耐压能力与导通电阻的矛盾、高温环境下的可靠性问题等，已成为制约行业发展的关键因素。
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英飞凌拓展 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列，提供超低导通电阻和新型封装
【2026年1月12日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。该系列现提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装，产品组合覆盖在25°C情况下的典型导通电阻(RDS(on))值60 mΩ。
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专为12 V电池防反接设计的保护器件TPSMB非对称瞬态抑制二极管
创新设计使系统能够采用额定值较低的MOSFET或二极管，同时确保可靠的保护功能，非常适合各种需要12V电池防反接保护的汽车应用
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一文深入详解IGBT开关过程
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件，凭借其高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力，广泛应用于新能源汽车、工业变频、可再生能源等领域。其开关过程直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。
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ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
中国上海，2025年12月18日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压(40V/60V)MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060(4.9mm×6.0mm)封装产品。
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了解齐纳二极管和建立自己的测试仪
二极管在正向工作时具有小的电压降(约0.2V至0.7V)。当反向布线时，它们有很大的电压降。流行的1N4001二极管的反向电压为50V或更高，而1N4007二极管的反向电压为1000V或更高。这意味着当它们的反向击穿电压超过时，它们将开始传导电流。
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安森美与佛瑞亚海拉深化战略合作，共同推进新一代电源技术发展
此次合作将带来更智能的汽车电源解决方案，兼具卓越能效与优化性能
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Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
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Vishay推出MAACPAK PressFit封装1200 V SiC MOSFET功率模块，提高效率和可靠性
薄型器件适于中高频应用，节省空间，同时降低寄生电感，实现更洁净的开关特性
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大联大诠鼎集团推出基于PI产品的62W三输出定电压反激式电源解决方案
2025年11月13日，致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下诠鼎推出基于PI(Power Integrations)InnoMux™-2系列IMX2379F芯片的62W三输出定电压反激式电源解决方案。
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ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
中国上海，2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布，开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装，非常适用于采用48VAI服务器的热插拔电路*2，以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
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英飞凌扩展其CoolSiC™产品系列，推出专为高功率与计算密集型应用而设计的400V和440V MOSFET
【2025年10月24日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)通过增加顶部散热(TSC)的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V(连续)和455V(瞬态)的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这些关键系统提供所需的可靠性与性能。
