2026年6月22日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下诠鼎集团宣布,携手全球功率半导体领导厂商东芝(Toshiba)成功举办“东芝高效率电源转换与功率组件应用”线上研讨会。本次会议聚焦东芝在硅基低压/高压MOSFET与SiC MOSFET的最新产品、应用重点及后续技术演进方向,并结合高功率应用的参考设计,协助工程团队更快落地、有效缩短开发周期。
中国上海,2026年6月18日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,将于7月1日~3日参加2026慕尼黑上海电子展(electronica Shanghai 2026)。届时,罗姆将在上海新国际博览中心N4馆500号展位,集中展示其面向AI服务器、车载及工业设备等领域的多元化产品与解决方案,以及丰富的应用案例。
人工智能(AI)正在迅速改变各行各业,从医疗保健、金融到自动驾驶汽车和自然语言处理,推动着全方位的创新。这场革命由AI服务器驱动,它们提供了前所未有的计算性能。然而,AI工作负载(包括大语言模型的广泛采用)的指数级增长导致了功耗的急剧上升,给全球数据中心带来了新的挑战。随着AI模型变得更加复杂以及AI服务器数量的增长,对强大、高效和可扩展的电力供应的需求比以往任何时候都更迫切。
700V PowerGaN功率器件提升能效,缩减电源设计体积,适用于AI服务器、机器人、工业设备,以及家电等高端消费类产品
推动面向电动出行和工业领域的SiC功率技术发展
中国上海,2026年5月21日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。
中国上海,2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”,该产品非常适用于xEV(电动汽车)用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
2026年4月20日,致力于亚太地区市场的国际领先半导体元器件分销商---大联大控股旗下世平集团宣布,于4月9日携手晶丰明源(BPS)成功举办“AI服务器与高性能计算机电源解决方案”线上研讨会。
March 31, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新存储器价格调查,2026年第二季因DRAM原厂积极将产能转向HBM、Server应用,并采用“补涨”策略拉近各类产品价差,尽管终端市场面临出货下修风险,预估整体一般型DRAM(Conventional DRAM)合约价格仍将季增58-63%。NAND Flash市场持续由AI、数据中心需求主导,全产品线连锁涨价的效应不减,预计第二季整体合约价格将季增70-75%。
【2026年3月25日, 中国上海讯】中国人工智能服务器电源供应商深圳麦格米特电气股份有限公司(以下简称:麦米电气)宣布,将在其5.5 kW人工智能(AI)服务器电源中采用由全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)最新推出的CoolMOS™ 8超结MOSFET技术。为满足日益增长的AI服务器需求,麦米电气依托英飞凌CoolMOS™ 8半导体器件,实现了高效率与白金级性能。基于该技术,麦米电气面向AI服务器及开放计算生态系统开发出一套紧凑、可扩展的系统。该设计包含通过公共总线分配电力的可扩展中央电源架,每个机架可根据总功率需求配置多个电源架。
March 3, 2026 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新调查,2025年第四季全球NAND Flash产业营收持续受惠于AI建设需求,前五大品牌厂营收合计大幅季增23.8%,达211.7亿美元。尤其北美云端服务供应商(CSP)布建AI Server基础设施,刺激Enterprise SSD(企业级SSD)需求爆发式成长,叠加HDD严重缺货、交期过长带来的转单效应,整体NAND Flash短缺情况加剧,推升价格涨势,供应商营收因此受益。
融合台积公司工艺技术,在集团内部建立一体化生产体系
随着GPU功耗的持续攀升,AI服务器环境中的供电需求不断增长,本文围绕此趋势展开讨论。文中重点阐述了供电架构从48V向800V的转型变化,并探讨了随着数据中心基础设施的演进,ADI在高压热插拔保护领域的持续创新成果。
全新RCD样品现已向特定客户开放
中国上海,2025年11月11日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,开发出实现业界超宽SOA*1范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。该款产品采用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封装,非常适用于采用48VAI服务器的热插拔电路*2,以及需要电池保护的工业设备电源等应用。
为实现千兆瓦级AI基础设施的800 VDC构想提供支持
为实现千兆瓦级AI基础设施的800 VDC构想提供支持
【2025年9月22日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布扩展其 CoolSiC™ 650 V G2 系列 MOSFET产品组合,新增 75 mΩ 规格型号,以满足市场对更紧凑、更高功率密度系统的需求。该系列器件提供多种封装选择,包括 TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及 TO247-4。得益于此,该产品组合可同时支持顶部冷却(TSC)与底部冷却(BSC)两种散热方案,为研发人员的设计提供了高度灵活性。此类器件非常适用于中高功率等级的开关模式电源(SMPS),可广泛应用于多个领域,包括AI服务器、可再生能源系统、电动汽车及电动汽车充电桩、人形机器人充电、电视机以及各类驱动系统。
生成式AI的爆发式增长正重塑数据中心生态,供电系统成为支撑算力革命的基石。据国际能源署(IEA),2023至2030年间,数据中心能耗将激增165%,而AI服务器机架功耗已从10kW飙升至120kW以上,单GPU功耗甚至逼近2kW。这种高功率密度需求对电源效率、散热设计和可靠性提出前所未有的挑战。