TSV

硅通孔（TSV）在2.5D封装中的EDA建模与热仿真分析

在先进封装技术中，2.5D封装凭借硅通孔（TSV）技术实现了芯片间的高密度垂直互连，成为高性能计算、人工智能等领域的核心解决方案。TSV通过在硅中介层中蚀刻高深宽比的垂直通道，并填充铜等导电材料，显著缩短了互连长度，降低了信号延迟和功耗。然而，TSV的引入也带来了复杂的物理效应，需通过EDA建模与热仿真分析确保设计的可靠性。

TSV简史

在2000年的第一个月，Santa Clara University的Sergey Savastiou教授在Solid State Technology期刊上发表了一篇名叫《Moore’s Law – the Z dimension》的文章。这篇文章最后一章的标题是Through-Silicon Vias，这是 Through-Silicon Via 这个名词首次在世界上亮相。这篇文章发表的时间点似乎也预示着在新的千禧年里，TSV注定将迎来它不凡的表演。

可穿戴式电脑，未来能否实现？

　　网络芯片制造商博通公司（Broadcom），已经针对入门级设备推出了新款5G WiFi芯片，支持802.11ac无线标准。该公司今日宣布了特别为入门级消费设备而设计的首款5G WiFi co

IBM，美光科技建立与TSV的混合内存