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GaN FET在65W快充中的PCB布局操作要点
在65W PD快充（AC-DC QR/ACF + 同步整流）中，GaN FET（如Navitas NV6115、Transphorm TP65H030G） 的高开关速度（dv/dt > 50V/ns、di/dt > 10A/ns）使传统Si MOSFET布局不再适用——寄生电感与栅极振铃会直接导致误开通、EMI超标或器件损坏。本文提炼GaN QR反激/ACF电路中PCB布局的关键操作要点。
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瑞萨电子推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力，适用于AI数据中心、工业及电源系统应用
基于成熟的SuperGaN技术，650V第四代增强型产品。凭借卓越的热效率和超低功率损耗带来强劲性能。
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GaN FET：音响发烧友的首选技术
从智能设备充电器等低功率、低成本应用一直到高功率汽车应用，氮化镓 FET 正成为许多产品的广泛首选。大多数情况下，设计人员对 GaN 提供的更高的效率和功率密度印象深刻，这导致器件具有比硅同类产品更大的功率能力。然而，高端音频放大器现在也越来越多地转向 GaN 技术，因为 GaN FET 的平滑开关特性导致注入放大器的可听噪声更少。
