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低压GaN转换器栅极驱动和测量
氮化镓场效应晶体管(GaN FET)相较于硅FET，开关速度更快，封装更小，功率损耗更低。这些特性使得电源转换器能够在更高频率下运行，从而既能减小整体解决方案尺寸，又能保持高效率。虽然DC/DC转换器的基本设计保持不变，但GaN带来了额外的设计和测试挑战。其中一个较为关键的挑战是对栅极电压和时序进行精准控制。这种控制可能很有难度，原因在于开关时间可能超过了传统控制器和测试设备的处理能力。幸运的是，GaN专用的控制器和测量技术能够解决这些问题，并确保电源设计稳健可靠，同时不会增加额外的复杂性。
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借助高能效GaN转换器，提高充电器和适配器设计的功率密度
如今，充电器和适配器应用最常用的功率转换器拓扑是准谐振(QR)反激式拓扑，因为它结构简单、控制简便、物料(BOM)成本较低，并可通过波谷切换工作实现高能效。然而，与工作频率密切相关的开关损耗和变压器漏感能量损耗，限制了QR反激式转换器的最大开关频率，从而限制了功率密度。
