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英飞凌推出面向 AI 数据中心电源设计的 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3驱动芯片，适用于硅基与氮化镓器件设计，封装兼容
【2026年6月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)近日宣布推出 EiceDRIVER™ 2EDL90xG3。这是一款120 V，兼容硅(Si)和氮化镓(GaN)器件的驱动芯片。随着AI数据中心向更高的功率密度迈进，电源工程师会希望在不更改 PCB 的情况下，能够灵活地评估和比较硅与氮化镓方案。这对 HV/MV IBC 设计尤为重要。2EDL90xG3直接满足了这一需求。其独特的内置5 V 栅极钳位功能进一步简化了 GaN 栅极驱动电源的设计，从而实现与 Si 器件共 PCB。
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英飞凌 EasyPACK™ S 模块及封装方案支持实现紧凑化设计，适用于高功率密度应用
【2026年6月9日, 德国慕尼黑讯】无论是在电动汽车车载充电，还是 AI 数据中心供电等应用环境中，在空间愈发受限的情况下，对更高功率密度解决方案的需求却持续增长。为了满足这一应用需求，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)在 PCIM Europe 2026展会上，推出了用于紧凑型设计的功率模块及封装方案EasyPACK™ S。EasyPACK S的封装高度仅为 5.6 mm，占板面积约为 33 x 36 mm²，在确保可靠热性能与低电磁干扰的同时，显著助力系统小型化。首批采用这种新封装方式的模块集成了英飞凌的 1200 V CoolSiC™ MOSFET G2以及IGBT4 和1200 V IGBT7 等技术。
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英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计
【2026年6月8日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。其专为AI数据中心的高压直流母线架构而设计，是业内首款可直接在电池组与 800 V 直流母线之间运行的解决方案，采用了 650 V 和 1200 V 碳化硅(SiC)技术，在保持与现有低压BBU 相同物理外形尺寸的前提下，实现了 450 W/in³ 的功率密度以及超过 99% 的效率，有效解决了数据中心向更高电压直流配电转型过程中的关键基础设施瓶颈。
