关断感性负载时,器件不是只承受母线电压,还要替线束和绕组里的能量找出口。MOS管若把雪崩能力当成无限保护,尖峰也许能被压住,结区却可能被一次次打伤。
半桥逻辑正确却仍有直通尖峰,常是关断器件被 dv/dt 拉醒。栅极驱动电路要防误开,关键是让门极在最坏边沿仍被低阻抗钉住。
在现代电力电子领域,碳化硅(SiC)MOSFET 凭借其卓越的性能,如高开关速度、低导通电阻、高耐压能力等,正逐渐成为众多应用的首选功率器件。然而,正是由于这些独特的性能特点,使得碳化硅 MOSFET 在实际应用中面临着一些特殊的挑战,其中米勒效应带来的影响尤为突出,这也使得米勒钳位对于碳化硅 MOSFET 显得特别重要。