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埋入式电阻容技术：薄膜材料Dk稳定性与±5%公差控制方案
在5G通信、AI芯片等高速电路中，埋入式电阻与电容（埋阻埋容）技术通过将无源元件集成于PCB内部层间，实现信号完整性提升与空间利用率优化。某5G基站PCB因埋容材料介电常数（Dk）波动导致电容值偏差12%，引发信号反射损耗超标。本文提出基于NiCr合金薄膜电阻与高Dk聚合物电容的协同优化方案，通过材料配方改进与工艺控制，实现Dk稳定性±2%以内、电阻/电容公差±5%的突破。
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在无数中国科技企业的带动下，中国芯片也开始逆袭了！
由于当前半导体晶圆工厂不断增加，对于半导体在光刻工艺中所需的薄膜材料需求增加，加上部分半导体厂商致力于开发更为先进的半导体材料进一步增加需求
