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芯片设计问题须知及设计策略
电流密度过高导致金属原子逐渐置换，这时就会产生电子迁移问题。当很长时间内在同一个方向有过多电流流过时，在互连线上会开始形成空洞(Void，原子耗尽时出现)和小丘(hillock，原子积聚时产生)。足够多的原子被置换后，会产生断路或短路。当小丘触及邻近的互连线时，短路出现，从而引起芯片失效。
电流密度过高导致金属原子逐渐置换，这时就会产生电子迁移问题。当很长时间内在同一个方向有过多电流流过时，在互连线上会开始形成空洞(Void，原子耗尽时出现)和小丘(hillock，原子积聚时产生)。足够多的原子被置换后，会产生断路或短路。当小丘触及邻近的互连线时，短路出现，从而引起芯片失效。
