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IGBT 损坏机理分析及保护电路设计原理
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件，融合了 MOSFET 的高输入阻抗和 GTR 的低导通压降优势，在新能源汽车、轨道交通、工业变频器、光伏逆变器等中高压、大电流场景中广泛应用。其工作原理基于 MOS 栅极控制 PN 结导通与关断，实现电能的高效转换，但在复杂工况下，器件易受多种因素影响发生损坏，因此深入分析损坏机理并设计可靠的保护电路至关重要。
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我国能否建立起有影响力的AI开源开放平台？
近日，由鹏城实验室、新一代人工智能产业技术创新战略联盟共同举办的“新一代人工智能院士高峰论坛”在深圳拉开帷幕。本次论坛以“「头雁」穿云，云脑启智”为主题，汇聚了国内人工智能领域顶尖专家，共同探讨行业变革与技术创新、探寻AI边界。
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中国IGBT不再“一芯难求”，本土厂商同欧日三分天下
国内汽车界中，“一芯难求”的现状被打破了。
