寄生环路电感

英飞凌扩展750V CoolSiC™产品组合，推出顶部散热型H-DPAK半桥器件，进一步提升系统功率密度与可靠性

【2026 年 6 月 16 日，德国慕尼黑讯】汽车和工业应用中的功率转换架构正在快速演进，对开关拓扑、热管理和系统集成提出了新的要求。为满足这些要求，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY)推出顶部散热封装系列新产品H-DPAK，搭载采用750V CoolSiC™ G2技术的集成半桥(HB)器件。750V CoolSiC™ G2可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量。H-DPAK将完整的单向半桥功率级集成在单一封装内，采用优化漏极焊盘的分列式引线框架设计既增强了热扩散能力，又能确保在高密度大功率电路板布局中满足电气间隙要求;同时其高度沿用英飞凌成熟的Q-DPAK和TOLT产品使用的行业标准2.3mm，可实现电路板级的无缝集成