随着集成电路技术持续向更小尺寸、更高集成度发展,天线效应已成为影响芯片性能与可靠性的关键因素。在芯片制造过程中,特定工艺步骤会产生游离电荷,而暴露的金属线或多晶硅等导体宛如天线,会收集这些电荷,致使电位升高。若这些导体连接至 MOS 管的栅极,过高电压可能击穿薄栅氧化层,导致电路失效。因此,深入理解并有效减少天线效应,对提升集成电路性能与可靠性至关重要。
如摩尔定律所述,数十年来,集成电路的密度和性能迅猛增长。众所周知,这种高速增长的趋势总有一天会结束,人们只是不知道当这一刻来临时,集成电路的密度和性能到底能达到何种程度。随着技术的发展,集成电路密度不