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反向转换器FET关断电压缓冲技术解析
在反向转换器(尤以反激式拓扑为典型)的工作过程中，功率MOSFET关断瞬间产生的电压尖峰，是制约电路可靠性、缩短器件寿命的核心瓶颈。这类尖峰源于变压器漏感与FET输出电容的高频谐振，叠加次级反射电压后，往往会超出器件安全耐压范围，引发雪崩击穿、电磁干扰加剧等问题。因此，科学设计FET关断电压缓冲电路，实现尖峰抑制与能量合理处置，是反向转换器设计中的关键环节。
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反激式AC-DC转换器设计，从5W适配器到100W工业电源的变压器优化设计
反激式拓扑凭借其结构简单、成本低廉及电气隔离特性，在5W至100W功率范围内广泛应用于消费电子适配器、工业控制电源及LED驱动等领域。作为反激式转换器的核心元件，变压器设计直接影响整机效率、温升及电磁兼容性能。本文从磁芯选型、绕组结构、气隙控制及损耗优化四个维度，系统阐述不同功率等级下变压器设计的关键技术路径。
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使用 Fly-Buck™ 拓扑降低 EMI 和静音开关
在这篇文章分享 Fly-Buck 的软/静音开关特性的细节，这有助于在隔离中实现更高的效率、更低的电磁干扰 (EMI) 和更小的解决方案尺寸DC/DC 偏置应用。
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英飞凌针对准谐振反激式拓扑推出700 V CoolMOSTM P7产品系列
英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)针对现在和未来的准谐振反激式拓扑趋势，开发出全新的700V CoolMOS P7产品系列。较之目前使用的超级结工艺，这些全新MOSFET实现了前所未有的性能改进。诸如智能手机和平板电脑充电器以及笔记本电脑适配器等软开关拓扑均能受益于此优势。此外，全新CoolMOS支持针对电视适配器、照明、音响和辅助电源的快速开关和高功率密度设计。此全新产品系列针对外形进行了改进，可支持纤巧型设计。
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采用反激式拓扑的LED驱动电源电路图
图中C1上的电压为经过桥式整流后的电压，Rs1采样流过MOS管的电流，进行逐周期限电流控制，使MOS管的电流峰值不至于太大，确保负载短路时变压器不发生磁饱和。利用辅助绕组完
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双管反激式拓扑：应对未来SMPS设计挑战的创新解决方案
摘要开关电源(SMPS)设计人员面临着空间有限、满足国际能源标准以及需要提供易于设计的解决方案的挑战。综合考虑易于设计、不同负载下的功耗以及效率等因素，双开关管准谐振
