在第三代半导体的版图中,行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅(SiC)主导电动汽车高压主驱,氮化镓(GaN)则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器,是SiC的绝对专属领地。然而,VisIC的GaN将会改写这一格局,在80-350kW的大功率主驱逆变器中,氮化镓不仅能做高压,而且在效率、可靠性与系统成本上,正展现出超越碳化硅的巨大潜力。
从工业数字化、到电动出行、再到现在的AI革命,离不开创新的能源技术驱动,尤其是以SiC/GaN为代表的第三代功率半导体技术的发展。而英飞凌凭借在该领域的持续创新,牢牢把握这一趋势。
主驱逆变器解决方案将采用安森美的下一代 EliteSiC,使插电式混合动力电动汽车。实现更长的行驶里程和更高的可靠性。
未来出行时代,用车的方式和场景可能会发生巨变,例如共享汽车、自动驾驶车队等新的服务模式盛行。随之而来的,车厂的角色也就发生改变,整个汽车产业的模式可能都会重塑。伴随着这种变化的同时, 对于汽车电子层面有了新的需求,并且提出了更高的标准。
主逆变器是电动汽车的心脏,它决定了驾驶行为和车辆的能源效率,是电动汽车中的一个关键元器件。为了推动新能源汽车的主逆变器继续向更大功率、更高能效、更高电压、更轻重量、更小尺寸方向发展,安森美(onsemi)推出了 VE-Trac系列的功率集成模块(PIM),提供可扩展性、增强的热性能、以及行业最低电感的封装结构,能实现最高能效、最先进的功率密度和敏捷的响应速度。目前,VE-Trac系列包括VE-Trac SiC、VE-Trac Direct和VE-Trac Dual。